HfO2 as gate dielectrics for Ge-based devices

Titel in Übersetzung: HfO2 as gate dielectrics for Ge-based devices

S. Spiga, C. Wiemer, G. Scarel, G. Tallarida, G. Seguini, M. Perego, S. Ferrari, M. Fanciulli, G. Mavrou, A. Dimoulas, Sascha Kremmer, Christian Teichert, G. Pavia

Publikation: Buch/BerichtForschungsberichtTransferBegutachtung

Titel in ÜbersetzungHfO2 as gate dielectrics for Ge-based devices
OriginalspracheEnglisch
VerlagUnknown Publisher
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2007

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